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AP2114D-3.3TRG1 AP2114D-3.3TRG1
AP2114D-3.3TRG1中文资料第25页精选内容:数据表具有使能的1A低噪声CMOS LDO调节器 AP2114 2013年1月修订版2 BCD半导体制造有限公司 25典型应用图47. AP2114的典型应用
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AZ1117R-ADJTR AZ1117R-ADJTR
AZ1117R-ADJTR中文资料第5页精选内容:电流模式PWM控制器 AZ2842 / 3/4/5数据表 1A低压差线性稳压器 AZ1117数据表五 2005年10月修订版1 BCD半导体制造有限公司包 TEMPERA-范围零件号标记ID填料类型锡铅无铅锡铅无铅 TO-252-2 -40至125 O C AZ1117D-ADJ AZ1117D-ADJE1 AZ1117D-ADJ AZ1117D-ADJE1管 AZ1117D-ADJTR AZ1117D-ADJTRE1 AZ1117D-ADJ AZ1117D-AD...
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AZ431LAZ-E1 AZ431LAZ-E1
AZ431LAZ-E1中文资料第8页精选内容:低电压(1.24V)可调式精密分流调节器 AZ431L数据表 8 2012年12月修订版2 BCD半导体制造有限公司图11.小信号电压增益与频率的关系 10 μF 4.3K 6.8K一世 K A产量 360 GND 5V 1K 10K 100K 1M 0.01 0.1 1 10一世 KA = 1MA至100MA频率(HZ)图12.动态阻抗与频率的关系 GND产量 50 Ω 100 Ω一世 K A典型...
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AZ1085S-1.5E1 AZ1085S-1.5E1
AZ1085S-1.5E1中文资料第14页精选内容: 3A低压差线性稳压器 AZ1085数据表 14 2007年3月修订版1.3 BCD半导体制造有限公司机械尺寸(续) TO-263-3单位:毫米(英寸) 7° 3° 7° 0.990(0.039) 0.510(0.020) 2.540(0.100) 1.150(0.045) 9.650(0.380) 3° 14.760(0.581) 8.840(0.348) 2.640(0.104) 0.020(0.001) 8° 2° 0° 6° 0.38...
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AZ1086T-2.5 AZ1086T-2.5
AZ1086T-2.5中文资料第7页精选内容: 1.5A低压差线性稳压器 AZ1086数据表 7 2007年3月修订版1 BCD半导体制造有限公司电气特性(续)参数符号条件敏典型马克斯单元负载调节 ΔV OUT AZ1086-ADJ, 10毫安 ≤I OUT≤1.5A, V IN -V OUT = 2V 0.1 0.2 0.3 0.4 % AZ1086-1.5, 10毫安 ≤I OUT≤1.5A, V IN -V OUT = 2V 3 6 12 20毫伏 AZ1086-1.8, ...
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AH277A AH277A
AH277A中文资料第1页精选内容:补充输出霍尔效应锁定 AH277A 1 2006年7月修订版1. 2 BCD半导体制造有限公司数据表一般描述 AH277A是一款带输出的集成霍尔传感器专为电刷式电子换向而设计的驱动器,更少的直流电机应用.该设备包括一个ON-片式霍尔传感器,用于磁性传...
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AZ431BN-BTR AZ431BN-BTR
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AF002C1-32 AF002C1-32
AF002C1-32中文资料第1页精选内容:
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AZ1117S-1.8E1 AZ1117S-1.8E1
AZ1117S-1.8E1中文资料第5页精选内容:五 2013年1月REV. 3 BCD半导体制造有限公司 1A低压差线性稳压器 AZ1117数据表包温度范围零件号标记ID包装类型 TO-252-2(1)/ TO-252-2(2)/ TO-252-2(3)/ TO-252-2(4) -40至125 °C AZ1117D-ADJTRE1 AZ1117D-ADJE1磁带和卷轴 AZ1117D-1.2TRE1 AZ1117D-1.2E1磁带和卷轴 AZ1117D-1.5TRE1 AZ1117D-1.5E1磁带和?...
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ACE2341 ACE2341
ACE2341 P沟道增强型MOSFET VER 1.3 3输入电容 C ISS V DS = -6V,V GS = 0V, F = 1MHZ的 700 PF的输出电容 C OSS 160反向传输电容 C RSS 120开启时间 T D(ON) V DD = -6V,R L =6Ω I D≡ -1.0A,V GEN = -4.5V R G =6Ω 15 25 NS T R 35 55关闭时间 T D(关闭) 60 90 T F 40 60典型特征输出特性转移特性 V DS - 漏源电压(V) V GS - 栅源电压(V)导...
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